消息称三星成功突破低良率难关,3nmGAA制程如期量产

2022-05-15 18:55来源:IT之家   

三星电子此前表示将在本季度开始采用3GAE工艺量产但之前有消息称三星3nm良率只有20 ~ 30%,可能会拖累量产进程,引发业界担忧

据电子时报报道,业内传出消息,三星3nm良率问题已经解决,3nm GAA工艺将如期量产。

在芯片生产方面,他还表示,5nm工艺已经进入量产的成熟阶段,而4nm芯片的产能也将很快开始提升虽然4nm工艺初期的产量扩张有所延迟,但现在正专注于稳定,进入预期的产量提升曲线

他还说:通过改进3nm工艺的节点开发系统,三星现在每个开发阶段都有一个验证过程他强调,这将有助于缩短产量的上升期,提高盈利能力,并确保更稳定的供应

在接下来的3nm节点上,三星比TSMC更激进,决定放弃FinFET晶体管技术,在全球推出GAA晶体管技术,而TSMC的3nm技术仍将基于旧技术。

三星此前表示,GAA是一种新型环绕栅晶体管,MBCFET采用纳米级器件制造,可以显著增强晶体管性能。

三星表示,与7nm制造工艺相比,3nm GAA工艺的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提升了35%左右理论上,它优于TSMC的3纳米FinFET工艺

三星3纳米芯片将于第二季度开始量产

三星承认爬坡4nm产能有延迟,但目前节点不存在产能问题

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责任编辑:宋元明清

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