消息称SK海力士正开发基于238层NAND的UFS4.0闪存,有望明年上

2022-08-16 18:48来源:IT之家   

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据外媒THELEC今日报道,半导体行业人士透露,SK海力士计划最早于明年上半年量产最新的238层NAND UFS 4.0闪存。

根据SK海力士制定的UFS 4.0内存开发计划,将主要在UFS 4.0闪存上搭载V7和V8 NAND,其中V8是SK海力士研发的全球首款238层NAND闪存,能耗比176层NAND降低21%它采用4D封装技术与3D封装相比,前者减少了单位面积,生产效率更高

THELEC还透露了SK海力士正在研发的UFS 4.0闪存的数据处理速度:连续读取4000 MB/s,连续写入2800 MB/s,外观为11×13×0.8mm..单从速度来看,目前的曝光速度可能只有V7 NAND配备。

相比之下,三星5月4日推出的UFS 4.0的闪存采用176层NAND,连续读取4200 MB/s,连续写入2800 MB/s,外形规格为11× 13× 1 mm

此前有消息称,SK海力士的238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps,比上一代产品提升了50%现在,它还没有应用到UFS 4.0中

SK海力士开发的238层512GB TLC 4D NAND闪存

本站了解到,据THELEC透露,目前SK海力士已经向主要客户公司供应了238层NAND样片,并计划在明年上半年量产因此,搭载V8 NAND的UFS 4.0内存最快也有望从明年上半年开始量产

UFS 4.0闪存是今年5月正式批准的最新标准其数据传输带宽为23.2 Gbps,是之前UFS 3.1的两倍带宽越大,数据处理速度越快

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责任编辑:余梓阳

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